[21p-D903-1~16] 6.4 薄膜新材料

18:15 〜 18:30奨励賞エントリー

[21p-D903-16] ケミカルリフトオフを用いたルチル型Sn_1-xGe_xO₂単結晶自立薄膜の合成

〇小幡 知仁¹、陳 昊¹、長島 陽²、岡 大地¹、廣瀬 靖¹ (1.都立大院理、2.東大院理)

キーワード：

エピタキシャル薄膜,自立薄膜,ルチル型

ルチル型Sn_1-xGe_xO₂(SGO)はバンドギャップを3.7-4.7 eVの範囲で制御可能な超ワイドギャップ半導体で、紫外光エレクトロニクスデバイスやパワーエレクトロニクスデバイスへの応用が期待されている。このような材料を基板から剥離し、転写できればデバイス構造の自由度が広がり、フレキシブル化などの展開も期待できる。本研究ではVO₂を犠牲層に用いたケミカルリフトオフ法によるSGO薄膜の自立膜化を試みた。