Presentation Information
[21p-P09-24]Thickness dependence of resistivity in GZO films fabricated by Zn-supply sputtering
〇Yuugo Tamai1 (1.Uhimane Univ.)
Keywords:
semiconductor,GZO,sputtering
ZnO系膜では約100 nm以下の膜厚で、キャリア密度と移動度が低下することにより、抵抗率が急激に上昇するという課題がある。本研究では、Zn添加GZO粉末ターゲットが100 nm以下の膜厚における電気特性の改善に有効かどうかを調べた。その結果、膜厚を薄くするほど、キャリア密度と移動度が低下し、抵抗率が上昇した。移動度が低下した原因は、膜厚を薄くすると結晶の配向性が悪くなり、粒界散乱の影響を受けやすくなったことが考えられる。