Presentation Information
[21p-P09-9]Analysis of β-Ga2O3(010) surface structure using first-principles calculations
〇(M2)Tomoki Yasuda1, Takahiro Kawamura1, Toru Akiyama1 (1.Mie Univ.)
Keywords:
Ga2O3
β型酸化ガリウム(β-Ga2O3)は，多くの結晶多型が存在する酸化ガリウムの中で最も安定な構造をとり，SiC(3.3 eV)やGaN(3.4 eV)よりも大きなバンドギャップ(4.5 eV)を有する半導体であるため，パワーデバイスへの応用ではSiCやGaNを上回る高効率・低損失が期待できる．しかし，β-Ga2O3の結晶成長技術は発展途上で，結晶成長過程についての理解が不十分な点が多い．そこで本研究では，第一原理計算を用いてβ-Ga2O3の(010)表面構造解析を行い，O原子の吸着について考察した．