[21p-P15-1~9] 3.6 Laser processing (formerly 3.7)

[21p-P15-4] Solid-state crystallization of impurity-doped Ga₂O₃ thin films by excimer laser irradiation at RT and the effect of irradiation conditions on the structure

〇(M2)Takumi Numata¹, Ryoya Kai¹, Satoru Kaneko^2,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.KISTEC)

Keywords:

Wide-gap semiconductor,inpurity doping,excimer laser annealing

酸化ガリウム(Ga₂O₃)はα ~ εの多形をとる。PLDやCVDによる合成は高温が必要となり、積層薄膜の反応層生成などの影響が懸念されてきた。そこで我々は、緩衝層の導入と室温大気中でのELAにより、β-Ga₂O₃ 薄膜の固相結晶化を報告した。ただ、500mJ/cm²を超える比較的高いエネルギー密度でのELA処理における報告が少ない。本研究では、ELAのエネルギー密度に着目し、不純物ドープGa₂O₃薄膜の室温固相結晶化および結晶構造への影響を検討した。