[21p-P15-1~9] 3.6 レーザープロセシング（旧3.7）

[21p-P15-4] 不純物ドープ非晶質Ga₂O₃薄膜へのエキシマレーザー照射による室温固相結晶化と照射条件が与える構造・特性への影響

〇(M2)沼田 拓実¹、甲斐 稜也¹、金子 智^2,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)

キーワード：

ワイドギャップ半導体,不純物ドープ,エキシマレーザーアニーリング

酸化ガリウム(Ga₂O₃)はα ~ εの多形をとる。PLDやCVDによる合成は高温が必要となり、積層薄膜の反応層生成などの影響が懸念されてきた。そこで我々は、緩衝層の導入と室温大気中でのELAにより、β-Ga₂O₃ 薄膜の固相結晶化を報告した。ただ、500mJ/cm²を超える比較的高いエネルギー密度でのELA処理における報告が少ない。本研究では、ELAのエネルギー密度に着目し、不純物ドープGa₂O₃薄膜の室温固相結晶化および結晶構造への影響を検討した。