Presentation Information
[22a-A601-9]2nd quantized state oscillation in a gain switched 925nm-band QW-LD and its suppression
Soma Furuto1, Yuwen Cai1, 〇Kai Takeuchi1, Hirohito Yamada1, Hiroyuki Yokoyama1, Eiji Higurashi1 (1.Tohoku Univ.)
Keywords:
semiconductor laser,gain switching
短パルス光源としての応用を目的として、利得スイッチングによって動作する量子井戸型半導体レーザーでは、第1量子準位ではなく第2量子準位での発振の利用が期待されるが、そのためには電流励起条件と特性の関係について詳細な調査が必要である。本研究では、925 nm帯ファブリーペロー型半導体レーザーについて、電気パルスと直流電流の重畳による励起について調査し、重畳直流電流による第2量子準位発振の増加と抑制を示した。