講演情報
[22a-A601-9]利得スイッチングによる925 nm帯LDの第2量子準位発振とその抑制
古戸 颯真1、崔 鈺雯1、〇竹内 魁1、山田 博仁1、横山 弘之1、日暮 栄治1 (1.東北大)
キーワード：
半導体レーザー,利得スイッチング
短パルス光源としての応用を目的として、利得スイッチングによって動作する量子井戸型半導体レーザーでは、第1量子準位ではなく第2量子準位での発振の利用が期待されるが、そのためには電流励起条件と特性の関係について詳細な調査が必要である。本研究では、925 nm帯ファブリーペロー型半導体レーザーについて、電気パルスと直流電流の重畳による励起について調査し、重畳直流電流による第2量子準位発振の増加と抑制を示した。