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10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[22a-B201-5]Electrical characterization of semi-insulating GaN substrates doped with Fe, C or Mn grown by hydride vapor phase epitaxy

〇Daiki Tanaka¹, Kenji Iso^2,3, Jun Suda^1,3 (1.Nagoya Univ., 2.Mitsubishi Chemical, 3.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:

semi-insulating GaN substrates,Hall effect measurements,compensation

半絶縁性GaN基板は，残留ドナー密度を上回る補償アクセプタを導入し，深いアクセプタ準位にフェルミ準位をピニングすることで高抵抗を実現する．本研究では，Fe，C，Mnを様々な濃度でドーピングした半絶縁性GaN基板を作製し，Hall効果測定によりそれらの電気的特性を詳細に評価した．測定と解析の結果に基づき，高温でも高い絶縁性を維持する半絶縁性GaN基板の最適なドーパントとドーピング濃度について検討したので報告する．

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