[22a-B202-1~9] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[22a-B202-5] R&D of Bulk Crystals and Devices for Mass Production Mg₂Si Image Sensors

〇Naoyoshi Komatsu¹, Etsuro Shimizu¹ (1.Kyocera Corp.)

Keywords:

Mg2Si,Bulk crystal growth,Image sensor

次世代型の近赤外イメージセンサーは、従来のInGaAs製品が有するSDGsやコストの課題を解決したものでなければいけないという要求がある。これら課題の解決のため、我々は環境調和性が高く原材料も安価であるMg₂Siを基材としたイメージセンサーの開発を行っている。本講演では特に結晶開発とデバイス開発について報告する。