[22p-A311-1~10] 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

1:15 PM - 1:30 PM JST(4:15 AM - 4:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[22p-A311-2] Dielectric Properties of Ge-substituted Bi₂SiO₅-based Ceramics

〇Yoji Yasumoto¹, Taro Kuwano², Hiroki Taniguchi², Shinobu Fujihara¹, Manabu Hagiwara¹ (1.Keio Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:

dielectric materials,bismuth silicate,ceramics

強誘電体であるBi₂SiO₅(BSO)のBiサイトへLaをドープすることで，結晶系が変化し誘電率の温度安定性が向上することが知られている．本研究では温度安定性の更なる改善に向けてSiサイトをGeで部分置換したLaドープBSOセラミックスを作製した．Ge置換量の増加に伴って誘電率の温度依存性が徐々に負から正へと変化したことから，Ge置換によって温度安定性の制御が可能であることがわかった．