講演情報
[22p-A311-2]Geを置換固溶したBi2SiO5系セラミックスの誘電特性
〇保元 陽志1、桑野 太郎2、谷口 博基2、藤原 忍1、萩原 学1 (1.慶大理工、2.名大理)
キーワード：
誘電体,ビスマスシリケート,セラミックス
強誘電体であるBi2SiO5(BSO)のBiサイトへLaをドープすることで，結晶系が変化し誘電率の温度安定性が向上することが知られている．本研究では温度安定性の更なる改善に向けてSiサイトをGeで部分置換したLaドープBSOセラミックスを作製した．Ge置換量の増加に伴って誘電率の温度依存性が徐々に負から正へと変化したことから，Ge置換によって温度安定性の制御が可能であることがわかった．