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4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)

[22p-B201-12]Characterization of recess Ohmic contact to AlGaN/GaN heterostructure using single or hybrid electrode structures

〇kazuya Uryu^1,2, Yuchen Deng¹, Toshi-kazu Suzuki¹ (1.JAIST, 2.ATL)

Keywords:

AlGaN/GaN heterostructure,recess Ohmic contact

AlGaN/GaNヘテロ構造に対するリセスオーミック接触構造では, オーバーラップ金属からの寄与と, 2次元電子ガス(2DEG)に直接接触する側壁金属からの寄与によって接触抵抗が決まるが, 両者を分離した評価は行われてこなかった. 本研究では, AlGaN/GaNヘテロ構造に対してシングルまたはハイブリッド電極を用いたリセスオーミック接触構造を作製し, 全体の接触抵抗のオーバーラップ金属長依存性を評価することで, 側壁金属-2DEG間の接触抵抗を抽出した.

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