[22p-C501-1~12] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)

[22p-C501-12] Effects of annealing on electrical and thermal conductance through MoS₂ film made from artificially stacking

〇Kan Ueji¹, Kaiyao Zhou¹, Sota Nakamura¹, Shigeki Saito¹, Hiroyuki Nishidome¹, Takashi Yagi², Yohei Yomogida¹, Yasumistu Miyata¹, Kazuhiro Yanagi¹ (1.Tokyo Metro. Univ., 2.AIST)

Keywords:

transition metal dichalcogenide,Time-domain thermoreflectance,artificially stacking

人工的に積層させた遷移金属ダイカルコゲナイド(MX₂)薄膜の面直方向の熱伝導は空気に近いほどの熱絶縁性を示す。熱電変換の観点からは非常に興味深いが、面直方向における電気伝導、更には熱起電力との相関は殆ど議論されていない。本研究では、輸送特性の相関の端緒を得ることを目的として、特に、MX₂人工積層膜を真空アニールすることで界面カップリングを系統的に変化させた過程での熱・電気輸送特性を調べた。