[22p-P06-1~3] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[22p-P06-1] I-V Characteristics of Low Threshold SBDs Using FeS₂ Natural Crystals And Temperature Dependence of Crystal Resistivity

〇Riku Ando¹, Gaku Kamio¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)

Keywords:

schottky barrier diode,natural crystal,narrow gap semiconductor

我々はFeS₂天然結晶を用いた低しきい値SBDの作製に成功し、I-V特性の評価及び、解析を行った結果、ショットキーバリアハイトは0.60 eVと非常に低く評価された。一方でFeS₂天然結晶の電気的特性については明らかになっていない為、抵抗率の温度依存性について測定を行った。測定の結果、典型的な半導体的な特性が得られたものの、290 K以上の温度特性において結晶が単結晶でないことに由来する特性の傾きの変化が確認された。