講演情報
[22p-P06-1]FeS₂天然結晶を用いた低しきい値SBD のI-V 特性および結晶の抵抗率温度依存性
〇安藤 陸1、神尾 岳1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)
キーワード：
ショットキーバリアダイオード,天然結晶,ナローギャップ半導体
我々はFeS₂天然結晶を用いた低しきい値SBDの作製に成功し、I-V特性の評価及び、解析を行った結果、ショットキーバリアハイトは0.60 eVと非常に低く評価された。一方でFeS₂天然結晶の電気的特性については明らかになっていない為、抵抗率の温度依存性について測定を行った。測定の結果、典型的な半導体的な特性が得られたものの、290 K以上の温度特性において結晶が単結晶でないことに由来する特性の傾きの変化が確認された。