Presentation Information
[22p-P10-15]Photoluminescence characteristics of AlGaAsN grown by RF-MBE
〇(M2)Natsu Minami1, Kou Inoue1, Takashi Tsukasaki1, Miki Fujita2, Toshiki Makimoto1 (1.Waseda Univ., 2.NIT Ichinoseki College)
Keywords:
AlGaAsN,Photoluminescence characteristics,RF-MBE
GaAsN混晶はGaAsとNの混和性が低いため、高品質な成長が困難である。一方で、CBE法で成長したAl組成の低いAlGaAsNにおいては、As位置へのNの配置が促進されてNの取り込み効率が向上することから、AlGaAsN中のN分布が均一化するという報告例がある。
そこで、本研究では、RF-MBE法を用いて成長したAlGaAsNにおいて、フォトルミネッセンス発光を観測したので、その結果について報告する。
そこで、本研究では、RF-MBE法を用いて成長したAlGaAsNにおいて、フォトルミネッセンス発光を観測したので、その結果について報告する。