講演情報
[22p-P10-15]RF-MBE 法で成長した AlGaAsN のフォトルミネッセンス発光
〇(M2)南 奈津1、井上 洸1、塚崎 貴司1、藤田 美樹2、牧本 俊樹1 (1.早大理工、2.一関高専)
キーワード：
AlGaAsN,フォトルミネッセンス発光,RF-MBE法
GaAsN混晶はGaAsとNの混和性が低いため、高品質な成長が困難である。一方で、CBE法で成長したAl組成の低いAlGaAsNにおいては、As位置へのNの配置が促進されてNの取り込み効率が向上することから、AlGaAsN中のN分布が均一化するという報告例がある。
そこで、本研究では、RF-MBE法を用いて成長したAlGaAsNにおいて、フォトルミネッセンス発光を観測したので、その結果について報告する。
そこで、本研究では、RF-MBE法を用いて成長したAlGaAsNにおいて、フォトルミネッセンス発光を観測したので、その結果について報告する。