[23a-A308-1~10] CS.5 Code-sharing Session of 3.10 & 3.12

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[23a-A308-2] Gain Spectra in Highly-stacked Quantum Dot Laser Fabricated on InP(311)B Substrate with Bi Atom Irradiation

〇Satoshi Yanase^1,2, Kouichi Akahane², Atsushi Matsumoto², Toshimasa Umezawa², Naokatsu Yamamoto², Yoriko Tominaga³, Atsushi Kanno^2,4, Tomohiro Maeda^1,2, Hideyuki Sotobayashi¹ (1.Aogaku Univ., 2.NICT, 3.Hiroshima Univ., 4.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:

quantum dot,semiconductor laser diode,bismuth

半導体レーザの発振波長の温度依存性低減に向けて希薄ビスマス（Bi）系III-V族化合物半導体の研究がされている。Biによる発振波長の温度無依存化のメカニズムはいまだ解明されていないがゲインスペクトルの変化が原因の一つである考えられている。そこで本研究ではHakki—Paoli法を用いてゲインスペクトルを検討した。