[23a-A308-1~10] CS.5 3.10 フォトニック構造・現象、3.12 半導体光デバイスのコードシェアセッション

9:30 〜 9:45

[23a-A308-2] Bi照射InP(311)B上多重積層量子ドットレーザのゲインスペクトル

〇簗瀬 智史^1,2、赤羽 浩一²、松本 敦²、梅沢 俊匡²、山本 直克²、富永 依里子³、菅野 敦史^2,4、前田 智弘^1,2、外林 秀之¹ (1.青学大理工、2.NICT、3.広島大、4.名工大)

キーワード：

量子ドット,半導体レーザ,ビスマス

半導体レーザの発振波長の温度依存性低減に向けて希薄ビスマス（Bi）系III-V族化合物半導体の研究がされている。Biによる発振波長の温度無依存化のメカニズムはいまだ解明されていないがゲインスペクトルの変化が原因の一つである考えられている。そこで本研究ではHakki—Paoli法を用いてゲインスペクトルを検討した。