[23a-A311-1~10] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23a-A311-4] Thickness dependence of thermal conductivity of GeSbTe using thermo reflectance method

〇Yutaro Shimoda¹, Tsukasa Nakai¹, Yasumi Ishimoto¹, Kazuhiro Katono¹, Akifumi Gawase¹, Yoshiki Kamata¹, Daisaburo Takashima¹, Tadaomi Daibou¹ (1.KIOXIA Corporation)

Keywords:

GeSbTe,thermo reflectance method,thermal conductivity

PCM(Phase Change Memory)のPCM層に広く用いられる薄膜GeSbTeの熱伝導率を求めるため、測定試料としてW/GeSbTe(17～39nm)/W/基板を作成し、温度履歴曲線をサーモリフレクタンス法により測定した。上下W層の影響を理論モデルに基づいて差し引くことでGeSbTe単体の熱伝導率を抽出した。さらにGeSbTe膜厚と熱伝導率に相関が見られ、そのメカニズムを提示する。