[23a-A311-1~10] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[23a-A311-4] サーモリフレクタンス法を用いたGeSbTeの熱伝導率の膜厚依存性

〇下田 雄太郎¹、中居 司¹、石本 康実¹、上遠野 一広¹、側瀬 聡文¹、鎌田 善己¹、高島 大三郎¹、大坊 忠臣¹ (1.キオクシア株式会社)

キーワード：

GeSbTe,サーモリフレクタンス法,熱伝導率

PCM(Phase Change Memory)のPCM層に広く用いられる薄膜GeSbTeの熱伝導率を求めるため、測定試料としてW/GeSbTe(17～39nm)/W/基板を作成し、温度履歴曲線をサーモリフレクタンス法により測定した。上下W層の影響を理論モデルに基づいて差し引くことでGeSbTe単体の熱伝導率を抽出した。さらにGeSbTe膜厚と熱伝導率に相関が見られ、そのメカニズムを提示する。