[23a-A311-1~10] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[23a-A311-8] Reduction of defects of polycrystalline Si films formed by FLA on Cat-CVD amorphous Si films formed by

〇Zheng WANG¹, Tu Thi Cam Huynh¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:

Thin film silicon

FLAにより形成したn-poly-Si膜に対し、電気炉によりN₂またN₂+H₂雰囲気で熱処理を行い、その欠陥低減効果を調査した。N₂+H₂ガス雰囲気で熱処理をすることにより、膜中や雰囲気中の水素がn-poly-Si膜内の粒界やクラックのダングリングボンドを終端したため、キャリア寿命が向上した。過度の熱処理は水素脱離が発生し、ダングリングボンドの増加が懸念される。適切な熱処理条件の選定により、太陽電池特性の向上が期待される。