[23a-A311-1~10] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

11:00 〜 11:15

[23a-A311-8] Cat-CVDで堆積した非晶質Si膜へのFLAにより形成した多結晶Si膜の低欠陥化

〇王 崢¹、Huynh Tu Thi Cam¹、Ohdaira Keisuke¹ (1.北陸先端大)

キーワード：

シリコン薄膜

FLAにより形成したn-poly-Si膜に対し、電気炉によりN₂またN₂+H₂雰囲気で熱処理を行い、その欠陥低減効果を調査した。N₂+H₂ガス雰囲気で熱処理をすることにより、膜中や雰囲気中の水素がn-poly-Si膜内の粒界やクラックのダングリングボンドを終端したため、キャリア寿命が向上した。過度の熱処理は水素脱離が発生し、ダングリングボンドの増加が懸念される。適切な熱処理条件の選定により、太陽電池特性の向上が期待される。