[23a-A602-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23a-A602-3] Hydrogen passivation effects on polycrystalline Ge thin films

〇Koki Nozawa¹, Takamitsu Ishiyama¹, Takuto Mizoguchi¹, Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko¹ (1.Univ. of. Tsukuba)

Keywords:

semiconductor,Solid-phase crystallization

Geは次世代の薄膜トランジスタ材料の有望な候補である。我々は、固相成長の前駆体となる非晶質 Ge 密度を制御し、Ge 薄膜の大粒径化、及び高移動化を達成してきた。しかし、多結晶Ge薄膜中には高密度なアクセプタ欠陥が存在しており（正孔密度 > 10¹⁷ cm⁻³）、デバイス応用にあたってはフェルミ準位の制御が主要な課題の一つであった。本研究では、我々の形成した高品質Ge層に対する水素プラズマ処理に重畳し、低温アニールを施すことで、前人未到の低正孔密度（< 10¹⁵ cm⁻³）を達成するとともに、高い正孔移動度(>300 cm² V⁻¹ s⁻¹)を両立した。