Presentation Information
[23a-B101-2]Fabrication of InGaN/GaN MQW micro-LED arrays by HEATE method
〇Takeki Aikawa1, Akihiko Kikuchi1,2,3 (1.Sophia Univ., 2.Sophia Photonics Research Center, 3.Sophia Semiconductor Research Inst.)
Keywords:
semiconductor,micro-LED,GaN
近年、マイクロ LEDディスプレイが大きな関心を集めているが、要素技術である一辺 100 μm 以下の微小 LED における発光効率の低下が課題の一つである。 我々は、水素雰囲気中でのGaNの熱分解反応を利用し、低損傷な微細加工が可能なHEATE法の研究を行い、これまでにGaNのエッチング特性やInGaN/GaNナノ構造LEDの作製等を報告してきた。本稿ではHEATE法で作製した一辺0.5~10 mmの画素で構成される300 x 400 mmのマイクロLEDアレイ構造の発光特性評価について報告する。