講演情報
[23a-B101-2]HEATE法によるInGaN/GaN MQWマイクロLEDアレイの作製
〇相川 健喜1、菊池 昭彦1,2,3 (1.上智大理工、2.上智大フォトニクス研究センター、3.上智大半導体研究所)
キーワード：
半導体,マイクロLED,窒化ガリウム
近年、マイクロ LEDディスプレイが大きな関心を集めているが、要素技術である一辺 100 μm 以下の微小 LED における発光効率の低下が課題の一つである。 我々は、水素雰囲気中でのGaNの熱分解反応を利用し、低損傷な微細加工が可能なHEATE法の研究を行い、これまでにGaNのエッチング特性やInGaN/GaNナノ構造LEDの作製等を報告してきた。本稿ではHEATE法で作製した一辺0.5~10 mmの画素で構成される300 x 400 mmのマイクロLEDアレイ構造の発光特性評価について報告する。