[23a-B101-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23a-B101-6] Electrical and crystallographic properties of Ga(In)N tunnel junctions

〇Hinata Uda¹, Kenta Kobayashi¹, Tomoaki Kachi¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Takayuki Tanaka¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:

tunnel junction

これまで我々は、GaNおよびGaInNを用いたトンネル接合の低抵抗化を進めてきた。トンネル接合部の不純物プロファイルやIn濃度とトンネル接合を有するLEDの電流電圧特性を検討した結果、GaNトンネル接合では、MgとSiのプロファイルのオーバーラップが低抵抗化に重要であることを見出した。一方で、GaInNトンネル接合では、高Inモル分率を用いることで低抵抗化がなされた。本検討では、同時期に作製したGaNおよびGaInNトンネル接合LEDの電流電圧光出力特性に加えて、断面TEM像の観察を行ったので報告する。