講演情報
[23a-B101-6]Ga(In)Nトンネル接合の電気的および結晶学的特性
〇宇田 陽1、小林 憲汰1、可知 朋晃1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、田中 崇之1 (1.名城大学理工)
キーワード：
トンネル接合
これまで我々は、GaNおよびGaInNを用いたトンネル接合の低抵抗化を進めてきた。トンネル接合部の不純物プロファイルやIn濃度とトンネル接合を有するLEDの電流電圧特性を検討した結果、GaNトンネル接合では、MgとSiのプロファイルのオーバーラップが低抵抗化に重要であることを見出した。一方で、GaInNトンネル接合では、高Inモル分率を用いることで低抵抗化がなされた。本検討では、同時期に作製したGaNおよびGaInNトンネル接合LEDの電流電圧光出力特性に加えて、断面TEM像の観察を行ったので報告する。