[23p-A202-1~11] 17.3 Layered materials

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23p-A202-6] Electric double layer doping in the van der Waals heterostructures

〇Rei Usami¹, Takahiko Endo², Yasumitsu Miyata², Jiang Pu³, Taishi Takenobu¹ (1.Nagoya Univ., 2.Tokyo Metropolitan Univ., 3.Tokyo Tech.)

Keywords:

van der Waals heterostructure,pn junction

遷移金属ダイカルコゲナイド単層膜を用いたファンデルワールスヘテロ（vdW）構造に対し、電気二重層ドーピングを適用することにより、pn接合及び電流励起発光を実現した。ヘテロ境界からの発光は本研究が初めてである。さらに、vdWヘテロ構造におけるpn接合の特徴解明を目指し、電解質のガラス転移温度以下においてpn接合を固定化し、電流電圧特性を測定した。その結果、整流比が1.8×10⁴程度の明瞭な整流性が得られた。