[23p-A303-1~8] 13.3 Insulator technology

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[23p-A303-6] Variation of GeO2/Ge interface properties with annealing time of Cu-PMA method

〇Kota Kanno¹, Youta Uchida¹, Yoshitaka Iwazaki¹, Tomo Ueno¹ (1.Noukou Univ.)

Keywords:

insulator,PMA method

Geを用いたMOS構造は高温熱酸化500℃によりGeO₂を成膜する際に、GeO₂/Ge界面からGeO脱離が発生し、欠陥が生じてしまう。そのため、金属薄膜を堆積させ熱処理を行うことで、欠陥や膜質を改善する手法であるPMA法により、この問題の解決を試みた。先行研究ではPMA金属種として、他の原子と容易に化学反応が進行するCuを用いた場合で改善効果が見られ、またアニールガスに結合を促進させる酸素を用いることにより大幅に特性が改善することが分かった。これまでの実験は、アニール処理を300℃-20minの条件で行なっており、アニール処理の時間、温度と改善効果の関係については明らかではなかった。そこでCu-PMA法のアニール時間変化によるGe/GeO₂界面特性の変化を調査した。