[23p-A307-1~15] 6.3 Oxide electronics

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)

[23p-A307-12] Electronic structure of nitrogen-doped zinc oxide prepared by sol-gel method

〇(M1)Shintaro Motohiro¹, Koji Okudaira¹ (1.Graduate School of Science and Engineering, Chiba Univ.)

Keywords:

zinc oxide (ZnO),sol-gel method,NEXAFS

従来、NドープZnO薄膜をゾルゲル法によって作製する際にゲルから直接製膜を行うことが多いが、本研究では一度粉末を経由してから適切な溶媒に溶解し、製膜することを提案する。その際の使用する溶媒の極性によってドーピングの効率だけでなく、N原子とその周りの原子との結合状態が影響を受けるのではないかと考えた。そこで、溶媒ごとのN原子周りの結合状態、またそれに伴う電子状態の変化を探ることを目的とした。