Presentation Information
[23p-B204-8]Ultrafast Carrier Dynamics in Epitaxial Ge Film
〇Junjun Jia1, Takashi Yagi2, Hui Ye3, Yamada Naoomi4 (1.Waseda Univ., 2.AIST, 3.Zhejiang Univ., 4.Chubu Univ.)
Keywords:
Optical Bleaching,Indirect Transition,ultrafast spectroscopy
昨年度、InN半導体薄膜にバンドギャップ以上の高強度レーザ光を照射し、本来は不透明な波長領域が透明になるという光ブリーチング現象とその機序が報告された。この現象は大規模光集積回路中の超高速光スイッチデバイスへの応用が期待されている。しかし、直接遷移型InN薄膜における光ブリーチングの持続時間が数百フェムト秒であり、制御が困難な側面もある。本研究では、高強度レーザ光を間接遷移型ゲルマニウム半導体薄膜に照射した場合の光ブリーチング現象の計測とその解明を行った。