講演情報
[23p-B204-8]ゲルマニウム薄膜における超高速キャリアダイナミックス
〇賈 軍軍1、八木 貴志2、葉 輝3、山田 直臣4 (1.早稲田大学、2.産総研、3.浙江大学、4.中部大学)
キーワード：
光ブリーチング現象,間接遷移,超高速分光
昨年度、InN半導体薄膜にバンドギャップ以上の高強度レーザ光を照射し、本来は不透明な波長領域が透明になるという光ブリーチング現象とその機序が報告された。この現象は大規模光集積回路中の超高速光スイッチデバイスへの応用が期待されている。しかし、直接遷移型InN薄膜における光ブリーチングの持続時間が数百フェムト秒であり、制御が困難な側面もある。本研究では、高強度レーザ光を間接遷移型ゲルマニウム半導体薄膜に照射した場合の光ブリーチング現象の計測とその解明を行った。