[16a-A21-1~8] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[16a-A21-1] Analysis on the initial stage of RF-MBE growth of GaN on cleaved ScAlMgO₄ substrates

〇Nobuaki Hagiwara¹, Yasuhiro Yamada¹, Taiki Kusayama¹, Momoko Deura², Takashi Fujii¹, Tsutomu Araki¹ (1.Col. of Sci. & Eng.,Ritsumeikan Univ., 2.R-GIRO,Ritsumeikan Univ.)

Keywords:

ScAlMgO4,GaN,RF-MBE

我々は、RF-MBE法を用いたScAlMgO₄（SAM）基板上への高品質GaNの直接成長に取り組んでいる。GaNの3分子層程度に相当するSAM基板の高いステップに起因して、準安定相の立方晶GaNが混在しやすいことが課題であり、SAMテラス幅の増加が抑制に有効であることを見出している。そこで、ステップ密度の非常に低い劈開SAM基板上へのGaN成長の初期過程を解析し、通常の市販SAM基板上と比較した。