[16a-A21-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:00 〜 9:15

[16a-A21-1] 劈開ScAlMgO₄基板上GaNのRF-MBE成長における初期過程解析

〇萩原 宣顕¹、山田 泰弘¹、草山 大生¹、出浦 桃子²、藤井 高志¹、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO)

キーワード：

ScAlMgO4、GaN、RF-MBE

我々は、RF-MBE法を用いたScAlMgO₄（SAM）基板上への高品質GaNの直接成長に取り組んでいる。GaNの3分子層程度に相当するSAM基板の高いステップに起因して、準安定相の立方晶GaNが混在しやすいことが課題であり、SAMテラス幅の増加が抑制に有効であることを見出している。そこで、ステップ密度の非常に低い劈開SAM基板上へのGaN成長の初期過程を解析し、通常の市販SAM基板上と比較した。