[16a-A21-1~8] 15.4 III-V-group nitride crystals

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[16a-A21-2] Analysis on the initial stage of RF-MBE growth of InGaN on ScAlMgO₄ substrates

〇Yuta Kubo¹, Yuanze Zhong¹, Momoko Deura², Takashi Fujii¹, Tsutomu Araki¹ (1.Col. of Sci. & Eng., Ritsumeikan Univ., 2.R-GIRO, Ritsumeikan Univ.)

Keywords:

ScAlMgO4,InGaN,RF-MBE

我々はScAlMgO₄（SAM）基板上へのInGaNのRF-MBE成長に取り組んでいる。しかし、格子整合に近いIn組成でも貫通転位密度が10¹⁰ cm^-2台と高いこと、In組成の精密制御が困難なことが課題である。そこで今回は成長初期過程の解析を行い、GaN成長の場合と比較した。InGaNはGaNと比較して成長初期のグレインが小さく、c面が明瞭に形成されないことが明らかになった。また、成長初期ではInがほぼ取り込まれておらず、成長の進行に伴うIn組成の増加が確認された。