[16a-A21-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:15 〜 9:30

[16a-A21-2] ScAlMgO₄基板上InGaNのRF-MBE成長における初期過程解析

〇久保 祐太¹、鐘 元澤¹、出浦 桃子²、藤井 高志¹、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO)

キーワード：

ScAlMgO4、InGaN、RF-MBE

我々はScAlMgO₄（SAM）基板上へのInGaNのRF-MBE成長に取り組んでいる。しかし、格子整合に近いIn組成でも貫通転位密度が10¹⁰ cm^-2台と高いこと、In組成の精密制御が困難なことが課題である。そこで今回は成長初期過程の解析を行い、GaN成長の場合と比較した。InGaNはGaNと比較して成長初期のグレインが小さく、c面が明瞭に形成されないことが明らかになった。また、成長初期ではInがほぼ取り込まれておらず、成長の進行に伴うIn組成の増加が確認された。