[16a-A21-1~8] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:15 AM - 10:45 AM JST(1:15 AM - 1:45 AM UTC)

[16a-A21-5] [INVITED] Development of N-polar GaN for RF transistors

〇Isao Makabe¹ (1.Sumitomo Electric)

Keywords:

nitride semiconductor,nitorgen polar,HEMT

Ga極性GaNを用いたGaNHEMTはプロセス耐性が高く、かつSiC基板を用いることで高品質な結晶が得られるため、現在の移動体通信システムで広く採用されている。我々は構造上のメリットが多い、N極性GaNを用いたデバイス開発を行っている。N極性GaNの実現は、結晶成長のブレイクスルーが必須である。長年我々が培ってきたGa極性GaNの経験を生かして、電子デバイスに必要な高品質N極性GaNHEMT結晶を得ることに成功した。現在進めている、N極性GaN結晶を用いたトランジスタ開発に関して報告する。