[16a-A21-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:15 〜 10:45

[16a-A21-5] [分科内招待講演] N極性GaN結晶を用いた高周波トランジスタの開発

〇眞壁 勇夫¹ (1.住友電工)

キーワード：

窒化物半導体、N極性、HEMT

Ga極性GaNを用いたGaNHEMTはプロセス耐性が高く、かつSiC基板を用いることで高品質な結晶が得られるため、現在の移動体通信システムで広く採用されている。我々は構造上のメリットが多い、N極性GaNを用いたデバイス開発を行っている。N極性GaNの実現は、結晶成長のブレイクスルーが必須である。長年我々が培ってきたGa極性GaNの経験を生かして、電子デバイスに必要な高品質N極性GaNHEMT結晶を得ることに成功した。現在進めている、N極性GaN結晶を用いたトランジスタ開発に関して報告する。