[16a-A22-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16a-A22-5] 1440 h Continuous Operation of Diamond MOS Field Effect Transistors

〇Tomoki Shiratsuchi¹, Niloy Chandra Saha¹, Toshiyuki Oishi¹, Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ.)

Keywords:

Diamond,Stress measurement,MOSFET

ダイヤモンドは5.47 eVのバンドギャップを持つ半導体で, 次世代パワー半導体として期待されている. 我々は前回, ダイヤモンドMOSFETを作製し, 劣化の無い190時間のDC連続動作と, 100時間のAC連続動作を報告したが, 今回は更に長時間のDC連続動作を行った.
現在(1440時間)もDCストレス試験を継続しているが, 劣化無く動作している. 以上より, 我々のダイヤモンドMOSFETが実用デバイスとして長時間動作に耐えうることを示した.