[16a-A22-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[16a-A22-5] ダイヤモンドMOS電界効果トランジスタの1440時間連続動作

〇白土 智基¹、サハ ニロイ チャンドラ¹、大石 敏之¹、嘉数 誠¹ (1.佐賀大院理工)

キーワード：

ダイヤモンド、ストレス試験、MOSFET

ダイヤモンドは5.47 eVのバンドギャップを持つ半導体で, 次世代パワー半導体として期待されている. 我々は前回, ダイヤモンドMOSFETを作製し, 劣化の無い190時間のDC連続動作と, 100時間のAC連続動作を報告したが, 今回は更に長時間のDC連続動作を行った.
現在(1440時間)もDCストレス試験を継続しているが, 劣化無く動作している. 以上より, 我々のダイヤモンドMOSFETが実用デバイスとして長時間動作に耐えうることを示した.