[16a-A22-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[16a-A22-7] Impact of δ-doping density on DC/RF characteristics of doble-doped InP-HEMT

〇Taro Sasaki¹, Takuya Tsutsumi², Hiroki Sugiyama¹, Yuki Yoshiya¹, Takuya Hoshi¹, Fumito Nakajima¹ (1.NTT Device Technology Labs., 2.Osaka Metropolitan Univ.)

Keywords:

InP-HEMT,double dope,impact ionization

本講演では、Double-Dope構造のInP-HEMTデバイスにおけるドープ濃度の影響について報告する。