[16a-A22-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:45 〜 11:00

[16a-A22-7] Double-Dope構造InP-HEMTにおけるドープ濃度の影響

〇佐々木 太郎¹、堤 卓也²、杉山 弘樹¹、吉屋 佑樹¹、星 拓也¹、中島 史人¹ (1.NTT先デ研、2.大阪公立大)

キーワード：

InP-HEMT、ダブルドープ、インパクトイオン化

本講演では、Double-Dope構造のInP-HEMTデバイスにおけるドープ濃度の影響について報告する。