[16a-B1-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[16a-B1-4] Formation of HfN_x Films Using Minimal Fab Reactive Sputtering Tool

〇Shuichi Noda¹, Yuuki Yabuta³, Naoko Yamamoto³, Ryuichiro Kamei³, Shiro Hara^1,2,4 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.Seinan-Kogyo, 4.Hundred Semiconductors)

Keywords:

minimalfab,HfNx,reactive sputter

強誘電性HfN_x膜を用いた1Tr型のFE-RAM応用を念頭に反応性スパッタによる成膜を検討している。Ar+N₂ガスを用いたDCマグネトロンスパッタにおいては、Hfターゲット表面の窒化による帯電で放電維持が困難であった。スパッタ前のArプラズマクリーニングとスパッタ時シーケンスの工夫により、高N₂添加領域でも安定した成膜が可能となったため、種々条件での結晶構造・組成、比抵抗等の電気特性を調べた。