[16a-B1-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

9:45 〜 10:00

[16a-B1-4] ミニマル反応性スパッタ装置によるHfN_x膜の形成

〇野田 周一¹、薮田 勇気³、山本 直子³、亀井 龍一郎³、原 史朗^1,2,4 (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.誠南工業、4.Hundred Semiconductors)

キーワード：

ミニマルファブ、HfNx、反応性スパッタ

強誘電性HfN_x膜を用いた1Tr型のFE-RAM応用を念頭に反応性スパッタによる成膜を検討している。Ar+N₂ガスを用いたDCマグネトロンスパッタにおいては、Hfターゲット表面の窒化による帯電で放電維持が困難であった。スパッタ前のArプラズマクリーニングとスパッタ時シーケンスの工夫により、高N₂添加領域でも安定した成膜が可能となったため、種々条件での結晶構造・組成、比抵抗等の電気特性を調べた。