[16a-B1-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[16a-B1-5] Study of Device Process Using Minimal Fab Ion Implantation Tool (II)

〇Noriko Miura¹, Takeshi Hamamoto², Kazushige Sato², Naoki Hashimoto³, Yoshitaka Kitamura³, Shiro Hara^1,2,4 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.FUJI IMVAC INC., 4.Hundred)

Keywords:

minimalfab,Ion Implantation

ミニマルファブでは、これまでに熱拡散法を用いたTiNゲートSOI CMOSをベースとしたロジック回路やオペアンプの開発を行ってきたが、今後、トランジスタの微細化による高集積化を行う上で、イオン注入プロセスの適用を検討している。本研究では、ミニマルイオン注入プロセスの注入特性、デバイスプロセス適用への課題などを中心に議論する。