[16a-B1-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

10:00 〜 10:15

[16a-B1-5] ミニマルイオン注入装置のデバイスプロセスへの適用検討 (II)

〇三浦 典子¹、浜本 毅司²、佐藤 和重²、橋本 直樹³、北村 是尊³、原 史朗^1,2,4 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.フジインバック、4.Hundred Semiconductors)

キーワード：

ミニマルファブ、イオン注入

ミニマルファブでは、これまでに熱拡散法を用いたTiNゲートSOI CMOSをベースとしたロジック回路やオペアンプの開発を行ってきたが、今後、トランジスタの微細化による高集積化を行う上で、イオン注入プロセスの適用を検討している。本研究では、ミニマルイオン注入プロセスの注入特性、デバイスプロセス適用への課題などを中心に議論する。