[16a-B1-1~11] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[16a-B1-9] The effect by the stirring device on a wafer using Minimal-Fab Spin-on Dopant Process

〇Shuhei Nakamichi¹, Hiroyoshi Hongoh¹, Kazushige Sato¹, Fumito Imura³, Shiro Hara^1,2,3 (1.MinimalFab, 2.AIST, 3.Hundred)

Keywords:

minimalFab,SOD Coat,Impurity doping

ミニマルファブでは、不純物拡散にはSOD材料を用いた熱拡散方法を採用している。
しかし、ボロンドープpMOSFETにおいて塗布膜の膜厚はばらつきが大きい状態だった。
今回このボロンドープ材料を事前に撹拌機で処理することによって、
塗布膜の膜厚のバラツキを小さくするプロセスを開発したので報告する。