[16p-A21-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)

[16p-A21-10] Device performance with sharp heterojunction interface applied in AlGaN-based UV-B LDs

〇Takumu Saito¹, Rintaro Miyake¹, Ryoya Yamada¹, Yoshinori Imoto¹, Shundai Maruyama¹, Yusuke Sasaki¹, Shogo Karino¹, Sho Iwayama¹, Hideto Miyake², Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:

nitride,UV LD,metal organic vapor phase epitaxy

我々は、AlGaN系UV-Bレーザーダイオード（LD）の室温パルス発振に成功し、ピーク光出力150 mWを達成した[1]。しかしながら、このLDのキャリア注入効率(η_i)はわずか10%であり、GaInN、AlGaInP、AlGaInAsなど他の半導体材料を用いたLDに比べて著しく低い。さらなる光出力向上に向けてη_iの改善が重要な課題である。また、電子ブロック層（EBL）とガイド層の界面に意図しないAl組成傾斜層が報告されていることが、η_iを押し下げる要因として挙げられる[2]。したがって、本研究ではMOVPEによる急峻なヘテロ界面の成長条件の最適化とそのデバイス結果について報告する。