[16p-A21-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

15:30 〜 15:45

[16p-A21-10] AlGaN系UV-B LDにおける急峻なヘテロ接合界面を適用したデバイス性能

〇齋藤 巧夢¹、三宅 倫太郎¹、山田 凌矢¹、井本 圭紀¹、丸山 竣大¹、佐々木 祐輔¹、狩野 祥吾¹、岩山 章¹、三宅 秀人²、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工、2.三重大院工)

キーワード：

窒化物、紫外レーザ、有機金属気相成長法

我々は、AlGaN系UV-Bレーザーダイオード（LD）の室温パルス発振に成功し、ピーク光出力150 mWを達成した[1]。しかしながら、このLDのキャリア注入効率(η_i)はわずか10%であり、GaInN、AlGaInP、AlGaInAsなど他の半導体材料を用いたLDに比べて著しく低い。さらなる光出力向上に向けてη_iの改善が重要な課題である。また、電子ブロック層（EBL）とガイド層の界面に意図しないAl組成傾斜層が報告されていることが、η_iを押し下げる要因として挙げられる[2]。したがって、本研究ではMOVPEによる急峻なヘテロ界面の成長条件の最適化とそのデバイス結果について報告する。